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多功能宽密度等离子体

简要描述:

NextCVD多功能宽密度等离子体国内的电感耦合等离子体都是基于中频13.56MHz的电源发生器,等离子体密度较低,而且是螺旋管式,主要用于等离子体刻蚀,不适宜用于沉积高质量薄膜。

多功能宽密度等离子体

巨纳集团NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD(ICP-LP-PE-CVD)结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前全球功能强大的等离子体CVD系统。

 

NextCVD 的原创性高密度低频平板式电感耦合等离子体系统。频率可调节,从低频0.5- 4MHz范围内调节;电感天线是平板式,可根据客户要求改变天线的形状、大小,从而实现两种不同的放电模式:电感放电和电容放电,两种模式下都能实现稳定放电,两种模式的等离子体特性截然不同,可以实现不同的功能。

 

产品特点
基片台可电动旋转、可加热、可升降
配装手动高真空插板阀、手动角阀、电脑复合真空计
由于采用了超高真空密封技术,极限真空度高,沉积室可进入10-5Pa量级,可保证更高的镀膜纯净度,提高镀膜质量
自动监控和保护功能,包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等
配备可开关观察窗,方便观察及取样品
设备真空系统采用分子泵+机械泵真空机组
采用磁力耦合传动密封技术密封运动部件
真空规用金属规,刀口金属密封

 

性能技术参数
设备极限真空度:5.0×10-5Pa(等离子体沉积腔室)。5.0×10-1Pa进样室
高密度等离子体:电子密度高能达到1013 cm-3
气体先驱物离化率:1-10%
电感耦合离子体电源发生器频率从0.5-4 MHz可调,功率可从0-5000 W调节
电感天线有椭圆和圆形两种,相应等离子源石英窗口形状也有椭圆和圆形两种,相应等离子体放电模式也有电感和电容模式两种,可根据用途选择。等离子体源石英窗口大小可根据要求进行调节
供电:~380V三相供电系统(容量7KW),冷却水循环量1M3/H,工作环境温度10℃~35℃,冷却水温度18℃~25℃
设备占用面积12M2(设备安装面积4M×3M)
进样室上方窗口(玻璃橡胶圈密封):¢20cm
沉积室抽气口在底部,样品架的两边抽气,有利于薄膜的均匀沉积
设备总体漏放率:关机12小时后,真空度≤10Pa
从大气到抽到≤7×10-4Pa,小于45min(新设备充干燥氮气),提高了工作效率
样品台可旋转,速度:0~25转/分 可控可调。(样品台尺寸¢200mm)
基片尺寸¢6英寸(根据用户需要可变)
样品台加热器温度:室温~500±1℃。温度可控可调
基片zui大升降距离0~100mm可调

配备2支¢3英寸磁控靶,其中一支可镀铁磁材料,磁控靶可伸缩
磁控溅射靶电源:射频源 500W、13.56MHz;直流溅射电源,500W
缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护

 

应用领域:
光伏行业(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等离子体织构与刻蚀)
新型二维材料(石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制备)
半导体工艺(刻蚀工艺/氮化硅与二氧化硅工艺等)
纳米材料的生长与纳米形貌的刻蚀构造

 

石墨烯氢等离子体可控改性

 

石墨烯氩等离子体可控改性

 

氩等离子体可控改性:引入空位缺陷
氢等离子体可控改性:引入SP3缺陷

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